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Si5504DC
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
10
1.6
8
6
4
2
0
V DS = 15 V
I D = 2.1 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 2.1 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.4
0.3
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 2.1 A
0.2
T J = 25 °C
0.1
0.1
0.0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2
4
6
8
10
0.6
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
40
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.2
0.0
- 0.2
I D = 250 μ A
30
20
10
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
www.vishay.com
6
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
Document Number: 71056
S10-0547-Rev. C, 08-Mar-10
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